China Chromlegierungspulver Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Graphenbeschichtete Kupfer- und Silberkupfer haben wesentliche Leitfähigkeitsunterschiede, die jeweils eigene Vor- und Nachteile haben, und ihre anwendbaren Szenarien sind ebenfalls unterschiedlich.

Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.

​Nano-Silberdispersion wird in verschiedenen Bereichen wie der Medizin, der Elektronik und der Lebensmittelverpackung häufig eingesetzt. Je höher die Konzentration der Nanosilberdispersion ist, desto stärker sind die antibakteriellen Eigenschaften. Manchmal ist es jedoch erforderlich, die hochkonzentrierte Nanosilberdispersion auf eine niedrigere Konzentration zu verdünnen. Dieser Artikel führt Sie durch den Prozess, wie Sie eine hochkonzentrierte Nanosilberdispersion effektiv auf eine niedrige Konzentration verdünnen.

Bei der Durchführung des Luftstromquetschierungsprozesses wird normalerweise die Feuchtigkeitsabsorption des zerkleinerten Materials erheblich zunimmt und nach dem Trocknen immer noch Wasser absorbiert. Wie man es kontrolliert.

​SiC-Pulver ist ein weit verbreitetes Material in verschiedenen Anwendungen wie elektronischen Geräten, Beschichtungen und Verbundwerkstoffen. Seine Wirksamkeit wird jedoch durch seine Agglomeration und unzureichende Dispersion in wässrigen Medien eingeschränkt. Daher sind Techniken zur Oberflächenmodifizierung unerlässlich, um die Eigenschaften von SiC-Pulver zu verbessern. In diesem Artikel werden zwei Methoden zur Oberflächenmodifikation von ultrafeinem SiC-Pulver besprochen: PDADMAC- und PSS-Modifikation und AC1830-Tensidmodifikation.

​Metallnanopulver ist ein innovatives Material mit einem breiten Anwendungsspektrum in verschiedenen Branchen. Als einer der führenden Hersteller hochwertiger Metallnanopulver ist SAT NANO bestrebt, seinen Kunden die besten Produkte anzubieten. In diesem Artikel gehen wir der Frage nach, warum Metallnanopulver schwarz erscheint.