Die ATO-Dispersion spielt eine entscheidende Rolle in modernen transparenten leitfähigen Materialien, Wärmedämmbeschichtungen und antistatischen Anwendungen. In diesem ausführlichen Leitfaden erklärt SAT NANO, was ATO-Dispersion ist, wie sie funktioniert, wo sie verwendet wird und warum sie zu einem unverzichtbaren Material für leistungsstarke industrielle Formulierungen geworden ist.
Als jemand, der sich intensiv mit Materialwissenschaften beschäftigt, habe ich aus erster Hand gesehen, wie die richtigen Komponenten die Leistung verändern können. Zu den aufregendsten Fortschritten, die wir bei SAT NANO integriert haben, gehören Zinndioxid-Nanopartikel.
Als Forscher mit über zwei Jahrzehnten Erfahrung in der Materialwissenschaft habe ich aus erster Hand die Herausforderungen gesehen, die mit der Synthese konsistenter, hochwertiger Metalloxid-Nanopartikelsuspensionen verbunden sind. Der Kampf ist real – Agglomeration, bei der diese winzigen, leistungsstarken Partikel zusammenkleben, kann genau die Eigenschaften zerstören, an deren Erreichung wir so hart arbeiten.
Es gibt drei Hauptmethoden zur Herstellung einwandiger Kohlenstoffnanoröhren: die Lichtbogenmethode, die Laserablationsmethode und die chemische Gasphasenabscheidungsmethode (CVD).
Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.
Unsere Forschung bei Sat Nano hat mehrere kritische Vorteile identifiziert. Erstens erzeugen Borid -Nanopartikel -Additive eine dichtere, kohärentere Barriere gegen Feuchtigkeit und chemische Penetration. Zweitens verbessern sie dramatisch die Abriebfestigkeit-und erhöhen ihn häufig um 200-300% im Vergleich zu Standardbeschichtungen. Drittens halten sie die Stabilität bei Temperaturen von mehr als 800 ° C, wobei sich traditionelle Beschichtungen schnell verschlechtern würden.
