China Sphärisches Hastelloy-X-Legierungspulver für den 3D-Druck Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Die Kombination aus Flexibilität und Elastizität macht elastische Materialien in einer Vielzahl von Branchen unverzichtbar, darunter in der Automobil-, Bau- und Konsumgüterindustrie. Darüber hinaus werden sie in aufstrebenden Bereichen wie Mikrofluidik, Soft-Robotik, Wearables und medizinischen Geräten immer attraktiver. Voraussetzung für jede Anwendung ist jedoch eine ausreichende mechanische Festigkeit. Daher war die Lösung der scheinbar widersprüchlichen Eigenschaften zwischen Weichheit und Stärke schon immer ein ewiges Streben.

Kupferoxid -Nanopartikel (Cuo -NPs) sind winzige Partikel mit außergewöhnlichen Eigenschaften - eine hohe Oberfläche, antimikrobielle Aktivität und eine hervorragende thermische Leitfähigkeit. Wenn Sie in Elektronik, Gesundheitsversorgung oder Energiespeicher sind, sind diese Nanopartikel möglicherweise der Spielveränderer, den Sie übersehen haben.

Kupfer unterscheidet sich von Metallen wie Aluminium und Nickel dadurch, dass es schwierig ist, auf seiner Oberfläche eine dichte und stabile intrinsische Passivierungsschicht zu bilden. Daher wird die freiliegende Kupferoberfläche kontinuierlich durch Sauerstoff und Wasserdampf in der Luft oxidiert und korrodiert. Je kleiner die Partikelgröße und je größer die spezifische Oberfläche des Kupferpulvers, desto einfacher ist es, schnell zu Produkten wie Kupferoxid (Cu2O) und Kupferoxid (CuO) zu oxidieren. Diese Oxidisolationsschicht verringert die Leitfähigkeit des Kupferpulvers erheblich und behindert die Sinterverbindung der Partikel, was zu einer Verschlechterung der Leistung der leitfähigen Paste führt.

Dongguan Sat Nano Material Technology Co., Ltd. wird vom 31. Mai bis 2. Juni 2023 an der 15. China International Advanced Ceramics Exhibition in der Shanghai World Expo Exhibition Hall teilnehmen. Ziel der Ausstellung ist es, die neuesten Technologien zu präsentieren,

Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.