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Da die 3D-Drucktechnologie immer weiter voranschreitet, war die Nachfrage nach hochwertigen Druckmaterialien noch nie so groß. Ein solches Material ist TC4-Legierungspulver, das ein breites Anwendungsspektrum in der Luft- und Raumfahrt-, Maschinenbau- und Medizinindustrie hat. Eine der größten Herausforderungen beim Drucken mit TC4-Legierungspulver besteht darin, ein konsistentes und qualitativ hochwertiges Pulver zu erzeugen, das im Druckprozess verwendet werden kann. In diesem Artikel werden wir die verschiedenen Methoden zur Vorbereitung von TC4-Legierungspulver für den 3D-Druck untersuchen.

Abhängig vom Größenbereich der Partikel und der gewünschten Genauigkeit der Messung gibt es unterschiedliche Methoden zur Messung der Partikelgröße von Pulvern. Hier sind einige gängige Techniken:

Aufgrund ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und hohen thermischen Stabilität erfreuen sich thermische Nanomaterialien in verschiedenen Branchen zunehmender Beliebtheit. Als führender Anbieter hochwertiger thermischer Nanomaterialien erhält SAT NANO viele Anfragen nach der idealen Menge an hinzuzufügenden thermischen Nanomaterialien. In diesem Artikel besprechen wir die Faktoren, die bei der Bestimmung der Menge an thermischen Nanomaterialien zu berücksichtigen sind, und die Vorteile der Zugabe der richtigen Menge.

Alpha- und Gamma-Aluminiumoxid sind zwei der am häufigsten verwendeten Aluminiumoxidarten in verschiedenen industriellen Anwendungen. Obwohl beide Typen aus demselben Rohstoff stammen, unterscheiden sie sich in ihren Eigenschaften, Strukturen und Verhaltensweisen, sodass sie für unterschiedliche Anwendungen geeignet sind. In diesem Blogbeitrag werden wir die Unterschiede zwischen Alpha- und Gamma-Aluminiumoxid untersuchen und wie sich diese Unterschiede auf ihre Funktionalität auswirken.

​Quantenpunkte (QDs) beziehen sich auf Halbleiter-Nanopartikel, deren Größe kleiner als der Bohr-Radius des Exzitons ist und Quanteneinschlusseffekte aufweisen. Aufgrund des Quanteneinschlusseffekts hängt die Fluoreszenzemission von Quantenpunkten von ihrem Durchmesser und ihrer chemischen Zusammensetzung ab. Durch die Verbindung mit Halbleiteroberflächen können deren optische und photochemische Eigenschaften verbessert werden. Herkömmliche Quantenpunkte bestehen größtenteils aus Schwermetallelementen. Obwohl ihre hervorragende Leistung in Bereichen wie der biologischen Bildgebung, Elektrochemie und Energieumwandlung weit verbreitet ist, können Schwermetallelemente Umweltverschmutzung verursachen und die Gesundheit von Organismen beeinträchtigen.

Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.