China Mo2C-Pulver Hersteller, Lieferanten, Fabrik

In der Welt der Pulver ist die Partikelgröße einer der wichtigsten Indikatoren für die Messung ihrer Leistung. Sprechen wir über ein wichtiges Konzept - D50.

Nanometalle, moderne Elemente, die durch Nanotechnologie hergestellt werden und im modernen Leben eine wichtigere Rolle spielen. Unter ihnen ist Nano-Eisenpulver in vielen Bereichen zu einem entscheidenden Material geworden. Heute stellen wir unser neuestes Produkt vor: Nanometall-Eisenpulver.

Die Nanotechnologie hat innovative Lösungen für verschiedene Bereiche wie Medizin, Elektronik und Energie bereitgestellt. Nanomaterialien sind eine grundlegende Einheit in der Nanotechnologie und verfügen über einzigartige Eigenschaften, einschließlich ihrer Größe, Form und Kristallinität, die sie zu einem begehrten Material machen.

In den letzten Jahren gab es einen Trend, ölbasierte Schmierstoffe durch wasserbasierte Schmierstoffe zu ersetzen. Bornitridbeschichtungen werden häufig beim Schmieden von Legierungen auf Nickelbasis, Legierungen mit hohem Schmelzpunkt und maschinell bearbeiteten Teilen aus Titan verwendet, die nicht nur für Schmierung sorgen, sondern auch die Oxidation des Werkstücks verhindern.

Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.