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Als führender Anbieter hochwertiger Nanopartikeldispersionen weiß SAT NANO, wie wichtig es ist, die Konzentration von Partikeln in einer Lösung genau zu messen. Eine der am häufigsten verwendeten Messungen sind Teile pro Million (PPM), Teile pro Milliarde (PPB) und Teile pro Billion (PPT). In diesem Artikel werden wir die Umrechnung dieser Messungen und ihren Zusammenhang mit der Konzentration von Nanopartikeldispersionen diskutieren.

Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) ist ein unverzichtbares Forschungsinstrument in Bereichen wie Materialwissenschaft und Nanotechnologie. Für Forscher, die neu in TEM sind, ist das Verständnis der Grundprinzipien und -betriebe von entscheidender Bedeutung für die effiziente Nutzung dieser Geräte. TEM -Tests konzentrieren sich hauptsächlich auf die Mikrostruktureigenschaften von Materialien, einschließlich Elementverteilung, Phasenzusammensetzung, Kristalldefekten usw. Diese Eigenschaften zeigen sich auf mikroskopischer Ebene als Größe, Form, Verteilung verschiedener Phasenkörner sowie die Dichte und Verteilung von Kristalldefekten. Durch TEM können Forscher ein tieferes Verständnis der internen Struktur von Materialien erlangen und damit ihre Eigenschaften und potenziellen Anwendungen bewertet.

Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.

In den letzten Jahren hat uns der Aufstieg der Nanotechnologie die Möglichkeit gegeben, die einzigartigen Eigenschaften von Materialien auf molekularer Ebene zu erforschen. Eines dieser Materialien ist Palladium, ein silberweißes Metall, das sich zu einem wichtigen Akteur in der Welt der Edelmetall-Nanopartikel entwickelt hat. In diesem Blogbeitrag werden wir untersuchen, wie Palladium-Nanopartikel verschiedene Branchen revolutionieren, vom Gesundheitswesen bis zur Energie.

​Nano-Chrom-Pulver ist ein Wunderwerk moderner Technologie, das beispiellose Vorteile für eine Reihe von Anwendungen bietet, insbesondere im Bereich funktioneller Beschichtungen. Mit seiner ultrafeinen Partikelgröße und außergewöhnlichen Stabilität verändert dieses Produkt die Art und Weise, wie wir Beschichtungslösungen angehen, und die Ergebnisse sind geradezu erstaunlich.

​SiC-Pulver ist ein weit verbreitetes Material in verschiedenen Anwendungen wie elektronischen Geräten, Beschichtungen und Verbundwerkstoffen. Seine Wirksamkeit wird jedoch durch seine Agglomeration und unzureichende Dispersion in wässrigen Medien eingeschränkt. Daher sind Techniken zur Oberflächenmodifizierung unerlässlich, um die Eigenschaften von SiC-Pulver zu verbessern. In diesem Artikel werden zwei Methoden zur Oberflächenmodifikation von ultrafeinem SiC-Pulver besprochen: PDADMAC- und PSS-Modifikation und AC1830-Tensidmodifikation.