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Als führender Anbieter von YSZ-Nanopulver weiß SAT NANO, wie wichtig Klarheit ist, wenn es darum geht, die Unterschiede zwischen verschiedenen Arten von Nanopulvern zu verstehen. In diesem Artikel besprechen wir die Unterschiede zwischen FSZ, PSZ, TZP und YSZ und wie sich YSZ-Nanopulver von den anderen abhebt.

In der heutigen Welt ist der Einsatz von Nanopartikeln in verschiedenen Branchen weit verbreitet. Eine dieser Substanzen, die große Aufmerksamkeit erregt hat, ist Germaniumpulver in Nanogröße. Dieser hochwertige und wertvolle Stoff hat aufgrund seiner außergewöhnlichen Eigenschaften, darunter Wärmeableitung, elektrische Leitfähigkeit und mehr, mehrere Branchen revolutioniert. In diesem Blog werden wir tiefer in die Welt des Germanium-Nanopulvers eintauchen und seine zahlreichen Vorteile erkunden.

Partikelumlagerung und -verdichtung: Bei der Flüssigphasensintern sind die Erzeugung der Flüssigkeitsphase und der Partikelumlagerung wichtige Schritte bei der Verdichtung. Kleine Partikel haben eine große spezifische Oberfläche und Oberflächenenergie. Nach der Erzeugung der flüssigen Phase wird die feste Phase durch die flüssige Phase benetzt und in die Lücken zwischen Partikeln infiltriert. Wenn die Menge der flüssigen Phase ausreicht, sind die festen Phasenpartikel vollständig von der flüssigen Phase umgeben und ungefähr einen suspendierten Zustand. Unter der Oberflächenspannung der flüssigen Phase werden sie eine Verschiebung und Anpassung der Position durchlaufen, wodurch die kompakteste Anordnung erreicht wird. In diesem Stadium nimmt die Dichte des gesinterten Körpers schnell zu

Die Integration von Wissenschaft und Technologie hat der Menschheit eine atemberaubende Innovation beschert: Edelmetall-Nanopartikel-Iridiumpulver, eines der am häufigsten verwendeten wertvollen Elemente im industriellen und nichtindustriellen Bereich. Dieses atemberaubende Produkt ist nicht nur wertvoll, sondern kann auch hervorragende Anwendungen in verschiedenen technologiebezogenen Bereichen bieten.

Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.