China Cu-Nanopulver Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Graphenbeschichtete Kupfer- und Silberkupfer haben wesentliche Leitfähigkeitsunterschiede, die jeweils eigene Vor- und Nachteile haben, und ihre anwendbaren Szenarien sind ebenfalls unterschiedlich.

Die Kristallstruktur von Nano-Eisenoxid ist hexagonal und die Gitterparameter ändern sich mit abnehmender Partikelgröße. Wenn die Partikelgröße groß ist (normalerweise größer als einige zehn Nanometer), weist Eisenoxid eine typische α-Struktur auf. Die Fe2O3-Struktur, auch Hämatitstruktur genannt, ist rot gefärbt. Dies liegt daran, dass die typische α-Fe2O3-Struktur ein hohes Reflexionsvermögen für sichtbares Licht aufweist und kürzere Wellenlängen (blaugrün) im sichtbaren Licht absorbiert, sodass nur längere rote Wellenlängen beobachtet werden.

Am 15. April begann die 135. Canton Fair, auch bekannt als China Import and Export Fair, mit dem Thema „Förderung hochwertiger Entwicklung und Aufbau einer offenen Plattform mit hohem Standard“. Die diesjährige Messe findet in drei Phasen statt, wobei die letzte Phase am 5. Mai endet. Als eine der bedeutendsten internationalen Handelsveranstaltungen weltweit lockt die Canton Fair jedes Jahr Tausende von Unternehmen an, um ihre neuesten Produkte vorzustellen.

Nanometalle, moderne Elemente, die durch Nanotechnologie hergestellt werden und im modernen Leben eine wichtigere Rolle spielen. Unter ihnen ist Nano-Eisenpulver in vielen Bereichen zu einem entscheidenden Material geworden. Heute stellen wir unser neuestes Produkt vor: Nanometall-Eisenpulver.

Nano -Silberpulver spielt als wichtiges funktionelles Material aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften eine wichtige Rolle in mehreren Industriefeldern. Unter ihnen ist 100 nm Silberpulver (Silberpulver mit einer Partikelgröße von 100 Nanometern) aufgrund seiner hervorragenden Leistung in der Leitfähigkeit, der antibakteriellen und katalytischen Eigenschaften zu einem der am häufigsten verwendeten Spezifikationen geworden.

Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.