Die Oberflächenmodifikation von Siliziumnitridpulver wird hauptsächlich durch physikalische und chemische Methoden erreicht, um die physikalischen und chemischen Eigenschaften von Siliziumnitridpartikeln zu verbessern.
Kupfer unterscheidet sich von Metallen wie Aluminium und Nickel dadurch, dass es schwierig ist, auf seiner Oberfläche eine dichte und stabile intrinsische Passivierungsschicht zu bilden. Daher wird die freiliegende Kupferoberfläche kontinuierlich durch Sauerstoff und Wasserdampf in der Luft oxidiert und korrodiert. Je kleiner die Partikelgröße und je größer die spezifische Oberfläche des Kupferpulvers, desto einfacher ist es, schnell zu Produkten wie Kupferoxid (Cu2O) und Kupferoxid (CuO) zu oxidieren. Diese Oxidisolationsschicht verringert die Leitfähigkeit des Kupferpulvers erheblich und behindert die Sinterverbindung der Partikel, was zu einer Verschlechterung der Leistung der leitfähigen Paste führt.
Kupfer-Nanopartikel haben in den letzten Jahren aufgrund ihrer interessanten Eigenschaften, der kostengünstigen Herstellung und vieler potenzieller Anwendungen bei Katalyse, Kühlflüssigkeiten oder leitenden Tinten großes Interesse geweckt. In dieser Studie wurden Kupfernanopartikel durch chemische Reduktion von Kupfersulfat CUSO4 und Natriumborhydrid nabh ₄ in Wasser ohne inerten Gasschutz synthetisiert.
Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.
Graphenbeschichtete Kupfer- und Silberkupfer haben wesentliche Leitfähigkeitsunterschiede, die jeweils eigene Vor- und Nachteile haben, und ihre anwendbaren Szenarien sind ebenfalls unterschiedlich.
Wie kann ich das Eisenoxidpulver Fe3O4 -Nanopuber vorbereiten? Lassen Sie uns kurz den Herstellungsprozess vorstellen, und Sie können diese Methode auch befolgen, um sie herzustellen.
