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Die chemische Gesamtelementanalyse (ICP-MS) ist eine weit verbreitete Instrumententechnologie im Bereich der chemischen Analyse. Es basiert auf der Technologie der induktiv gekoppelten Plasma-Massenspektrometrie (ICP).

Wenn wir über Zukunftstechnologie sprechen, denken wir an intelligentere Geräte, sauberere Energie und einen gesünderen Lebensstil. Hinter diesen großartigen Bauplänen entfaltet ein scheinbar unscheinbares Material lautlos seine Kraft: Nano-Nickeloxid.

BN und AlN sind beide außergewöhnliche Materialien, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit und einzigartige physikalische Eigenschaften für verschiedene technische Anwendungen bieten. Die Wärmeleitfähigkeit von BN ist höher als die von AlN, was BN zu einer hervorragenden Wahl für Raumfahrtanwendungen, Hochtemperaturelektronik und Wärmemanagementanwendungen macht.

Kupfer-Nanopartikel haben in den letzten Jahren aufgrund ihrer interessanten Eigenschaften, der kostengünstigen Herstellung und vieler potenzieller Anwendungen bei Katalyse, Kühlflüssigkeiten oder leitenden Tinten großes Interesse geweckt. In dieser Studie wurden Kupfernanopartikel durch chemische Reduktion von Kupfersulfat CUSO4 und Natriumborhydrid nabh ₄ in Wasser ohne inerten Gasschutz synthetisiert.

Möchten Sie lernen, wie man XRD-Muster analysiert? Das Verständnis der experimentellen Bedingungen und die Identifizierung der Peakpositionen können wichtige Informationen für die korrekte Interpretation von XRD-Bildern liefern. In diesem Artikel führen wir Sie durch die Schritte zur Analyse von XRD-Mustern.

Mit der Entwicklung der Integrated Circuit (IC) -Technologie nähert sich die Skalierung von Semiconductor (MOS) -Feldeffekttransistoren (FETs) auf Siliziumbasis (FETS) ihren grundlegenden physikalischen Grenzen. Carbon -Nanoröhren (CNTs) gelten aufgrund ihrer Atomdicke und einzigartigen elektrischen Eigenschaften als vielversprechende Materialien in der Zeit nach Silizium, wobei das Potenzial zur Verbesserung der Transistorleistung gleichzeitig die Leistung des Stromverbrauchs verbessert wird. Hochreinheit ausgerichtete Kohlenstoffnanoröhren (A-CNT) sind aufgrund ihrer hohen Stromdichte eine ideale Wahl für das Fahren fortgeschrittener ICs. Wenn jedoch die Kanallänge (LCH) unter 30 nm abnimmt, nimmt die Leistung des einzelnen Gate (SG) A-CNT-FET signifikant ab, was sich hauptsächlich als sich verschlechternde Schalteigenschaften und erhöhtes Leckstrom manifestiert. Dieser Artikel zielt darauf ab, den Mechanismus der Leistungsverschlechterung im A-CNT-FET durch theoretische und experimentelle Forschung aufzudecken und Lösungen vorzuschlagen.